测量硅晶片上的氧化膜和抗蚀剂的案例分析

发布日期：2022-04-08 浏览次数：382

测量硅晶片上的氧化膜和抗蚀剂的案例分析

可以测量硅晶片上的氧化膜和抗蚀剂。






硅衬底上氧化膜的测量




F54显微自动膜厚测量系统是结合了微小区域的高精度膜厚/光学常数分析功能和自动高速平台的系统。它与 2 英寸至 450 毫米的硅基板兼容，并以以前无法想象的速度在规定点测量薄膜厚度和折射率。
兼容5x至50x物镜，测量光斑直径可根据应用选择1 μm至100 μm。

主要特点

• 将基于光学干涉原理的膜厚测量功能与自动高速载物台相结合的系统

• 兼容 5x 至 50x 物镜，测量光斑直径可根据应用从 1 μm 更改为 100 μm。

• 兼容 2 英寸至 450 毫米的硅基板

主要用途

半导体	抗蚀剂、氧化膜、氮化膜、非晶/聚乙烯、 抛光硅片、化合物半导体、ⅬT衬底等。
平板	有机薄膜、聚酰亚胺、ITO、cell gap等