半导体型压力传感器结构及操作说明

发布日期：2022-08-12 浏览次数：635

半导体型压力传感器结构及操作说明



传感器芯片的结构

硅片受压部（硅膜片）与通常的IC制造工序一样，通过杂质扩散形成硅规。
当对硅片施加压力时，仪表电阻会根据挠度而变化，并转换为电信号。（压阻效应）
该量规的特点是量规系数大。（金属量规是2-3，而硅量规是几个10-100）。
结果，可以获得高输出，使得可以制造厚膜片，这提高了压力传感器的耐压性。

目标型号

半导体型压力传感器
VDP4、VSW2（低压用）等

半导体膜片式压力传感器的结构和操作说明

半导体膜片压力传感器由与被测介质直接接触的高耐腐蚀性金属膜片（相当于哈氏合金C-22、SUS316L等）和检测压力的硅片（硅膜片）构成通过封闭的硅油。），采用双隔膜系统。
SUS316L隔膜（或相当于哈氏合金C-22）通过压力入口直接与测量介质接触，可以稳定测量未浸入其中的介质（空气、水、油等）。[连接螺纹为 G3/8 时，使用 O 型圈（氟橡胶）密封管道。] ]

特征

• 我们可以制造可以测量正压、负压、复合压和绝压的各种传感器元件。

• 与介质直接接触的受压部分材质相当于哈氏合金C-22，可采用SUS316L制造，耐腐蚀性能优异。

• 由于检测压力的硅芯片的厚隔膜，具有出色的耐压性

目标型号

半导体膜片压力传感器
VESW、VESX、VESY、VESZ、VHR3、VHG3、VAR3、VAG3、VPRNP、VPNPR、VPNPG、VNF、HS1、HV1、AS1、AV1、NS1、NV1、VESI、VESV、VSW2、VST等。