辐射温度计在单晶硅提拉设备的温度控制上的运用
多晶硅在坩埚中熔化时的温度控制和晶种后旋转提拉时的温度控制。
从升降机视口进行的温度测量。
单晶硅提拉过程中的温度控制。
对于硅的温度测量,在 1.1 μm 或更小的波长下进行温度测量是最佳的,因为温度的发射率变化很小。
FTKX 系列和 FLHX 系列是理想的,因为它们具有广泛的远距离、小光点类型(从 φ0.15 起)。由于光纤头结构紧凑且耐热150°C,因此即使环境温度稍高也可以安装。
头分离型无需采取辐射热对策。
NEW!在恶劣环境和狭小空间也能自由使用的1ms光纤型
半阶型
光纤式辐射温度计FTKX系列
测量温度范围:100°C至2000°C
纤维型(耐热磁场)
高温
用于通过石英
0.1ms/1ms快速响应
用于金属
NEW! 1ms 辐射温度计,规格可根据测量对象改变
无纤维辐射温度计 FLHX 系列
测量温度范围:90°C 至 2000°C
高温
用于通过石英
0.1ms/1ms快速响应
用于金属