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sanyu electron溅射镀膜设备的原理分析
它是一种将薄膜附着到物质上的方法，与电镀不同，它是在真空中进行的，不使用化学品。（在半导体制造中，湿法工艺称为干法工艺。）
将待涂覆的样品和薄膜的原材料（目标）放在附近。
整体处于真空状态，样品与靶材之间施加电压。
电子和离子高速运动，离子与目标碰撞。高速运动的电子和离子与气体分子碰撞，撞击分子的电子并变成离子。
与目标碰撞的离子会排斥目标粒子。(溅射现象)
被排斥的原料颗粒碰撞并粘附在样品上，形成薄膜。
尽管这种现象早已为人所知，但直到最近才投入实际应用。详细内容请参见“链接"部分的参考资料。
1852年，英国科学家格罗夫发现了飞溅现象。此时，减少成为放电管污染原因的飞溅就变得非常重要。格罗夫因第一个进行燃料电池实验而闻名。
第二次世界大战期间，光学元件增透膜的需求增加，真空设备也得到改进。
20世纪60年代以后，溅射薄膜沉积技术主要在美国开始使用。（第一台商用电子显微镜于 1965 年问世。）
在成膜技术之前，溅射现象被用作离子泵。（通过溅射将气体分子带入电极以获得更高的真空。）
这是一个拟声词，但为什么用这个词来形容真空中发生的现象呢？
据说“溅射"是描述这种现象的第一个词。它的意思是发出“吐"或“咳嗽"等声音，并传播某物或发出该声音。有些词典也说“发出咕噜声"，很多地方用它作为飞溅的意思。
目前英语中使用的 [ sputter ] 是 splutter 的同义词。
溅射 [sputtering] 是 [sputter] 的现在进行时。它用作名词，如“溅射"，但 [ sputter ] 也用作名词。
图像是目标散布着小爆发。
溅射和真空蒸镀是利用物理现象的成膜方法，但也有利用化学反应的CVD。
CVD [Chemical Vapor Deposition] 化学气相沉积法。这是一种将样品置于气态原料气氛中，通过化学反应在样品表面形成薄膜的方法。碳化硅膜是的，但也使用金属和有机聚合物。特点是可以形成高纯度的薄膜。
另一方面，真空蒸镀和溅射被称为PVD（物理气相沉积）。当原料颗粒通过蒸发或溅射附着在样品上时形成薄膜，不涉及化学反应。
该成膜方法具有以下特征。
作为薄膜原料的颗粒具有很大的能量，对样品有很强的附着力。创造出强大的电影
可以在不改变合金和化合物等原材料的组成比的情况下形成膜。
即使是气相沉积难以实现的高熔点材料也可以成膜。
只需改变时间即可高精度控制膜厚。
通过引入反应气体，还可以形成氧化物和氮化物膜。6：能够在大面积上均匀地形成膜。
可以通过将样品放置在目标位置来进行蚀刻。
成膜速度一般较慢（因方法而异）
介绍的原理是DC溅射，但已经设计出各种方法来弥补其缺点。以下溅射方法是典型的。
直流溅射 – 在两个电极之间施加直流电压的方法
射频溅射 – 施加交流电的方法（高频）
磁控溅射 – 一种通过在靶侧使用磁铁产生磁场来从样品中分离等离子体的方法。
离子束溅射——一种在远离目标或样品的位置产生离子并加速并施加到目标的方法。
其他方法包括面向目标、ECR（电子回旋加速器）和半导体制造中使用的准直以及长距离方法。此外，通过改变靶的形状和磁体的布置，磁控管方法已经开发出各种方法。
这是第一个设计的溅射方法。尽管DC溅射具有结构简单等许多优点，但它具有以下问题。
需要产生辉光放电，而且器件内部真空度比较低，因此存在残余气体的影响。具体地，膜与气体反应，或者气体被捕获在膜内。
气体在等离子体状态下分离成离子和电子，样品也暴露在高温等离子体中。由于温度上升等原因可能会造成损坏。
如果原材料（靶材）是绝缘体，离子就会积聚在表面，放电就会停止。
一种向绝缘目标施加交流电（高频）的方法。
将目标和样品靠近放置。
将高频电压施加到真空室和靶材上。
由于它是交流电，因此粒子加速的方向根据电压而变化。
电子比离子更轻、更容易移动，因此到达导电室的电子会流入电路。
靶侧的电子无处逃逸，变得更加密集。
结果，靶材侧产生负偏压，离子被吸引到靶材上并可以溅射。
这是一种减少直流溅射中等离子体影响的方法。由于等离子体被限制在目标附近，因此溅射速度也更快。
将背面带有磁铁的目标放置在靠近样品的位置。
通过施加电压来进行溅射。
磁场使电子沿着磁场线螺旋移动。
等离子体在电子周围产生，可以集中溅射。
即使在高频下也可使用 / 样品附近不会产生等离子体，不会造成损坏 / 飞溅量大
目标数量减少的方式存在不均匀性。
在列出的四种方法中，这是不使用放电的方法。
从离子枪（对离子发生器产生的离子进行加速并释放的装置）释放的离子照射到目标上并飞溅。DC溅射受到等离子体中的离子和电子等各种粒子的影响，但它是一种仅使用您想要用于溅射的离子的方法。向离子枪供应惰性气体以连续产生离子。（将原材料本身电离并直接用样品轰击它称为离子镀。）
无需通过放电产生等离子体，因此即使在高真空（无杂质混入）下也可以/离子源独立，易于设定条件/不依赖于靶材的导电率
设备复杂、昂贵/成膜速度不快
根据方法的不同，它们也有所不同，但除了离子束溅射之外，它们几乎是相同的。
真空室（气体入口、样品出口[快速镀膜机采用前门，方便操作]）
排气装置（旋转泵：放电时不需要高真空）
样品台（在三宇电子，经常取出和放入的样品台位于底部。）
目标安装支架
电源（高频、高压电源等）
控制装置
快速涂布机SC系列结合了上述要素，只需连接主体和泵即可使用。
随着射频溅射等技术的发展，现在不仅可以形成金属，还可以形成各种材料的薄膜，并且现在得到了广泛的应用。
磁盘（垂直磁记录介质的产生）
CD/DVD（记录面金属膜）
半导体（电路生成、存储器[铁电薄膜]、各种传感器）
磁头（用于高密度记录硬盘；最新磁头采用多层薄膜）
喷墨打印机头
液晶显示装置（透明电极的生成）
有机EL显示装置（透明电极的产生）
高亮度LED
电子显微镜样品的制备（导电膜抗静电）
光触媒薄膜
分析（识别表面上溅射而不是成膜的材料。）
纳米机器（形状记忆合金薄膜）
在塑料、玻璃等上生成电磁屏蔽膜。
您可以使用这款紧凑且易于使用的设备轻松创建各种金属的薄膜。
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一种高规格紧凑型镀膜机，可处理 Ni、Cr、W、Ti 和 Al 等多种金属。
该系列中最小的贵金属溅射镀膜机，可让您轻松创建薄电极膜。
只需设置样品并等待即可。全自动溅射，膜厚可调。
采用对样品温和的磁控管阴极。全自动机型，可控制膜厚。
磁控管型适合生产W/Ti/Cr等薄膜。微电脑控制/自动快门标准配备。
非常适合大型基板上的薄膜生产和 PDMS 表面处理
