真空蒸镀装置VE-2013的原理分析

真空蒸镀装置VE-2013的原理分析




真空镀膜是指在高真空条件下，利用各种物理或化学方法将靶材表面气化或 电离，再沉积到基底表面形成薄膜。真空镀膜技术分为物理气相沉积（PVD）和化 学气相沉积（CVD）。物理气相沉积法主要分为真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜、真 空离子镀膜。在钙钛矿层制备中，主流使用方法为蒸发镀膜，简称蒸镀法。

1）蒸发镀膜：真空条件下，通过电阻加热、电子束轰击等方法使镀料靶材受 热蒸发，靶材分子逸出，从镀料迁移到基片表面，沉积形成薄膜。

2）溅射镀膜：真空条件下，向装置内充入氩气（Ar），高电压下氩气辉光放 电，电离的氩离子在电场力作用下加速轰击放置在阴极的靶材，被溅射出的靶材分 子沉积在基片表面形成薄膜。

3）离子镀膜：真空条件下，通过等离子体电离技术离化镀料靶材，靶材分子 部分电离。基片外接高压负极。在深度负偏压下靶材分子向基片运动，沉积到基片 表面形成薄膜。





VE-2013

VE-2013是一款简单的真空蒸镀装置，继承了VE-2030（我公司制造）的概念。外壳内置TMP，实现紧凑外壳。由于是台式机，所以不会占用太多空间。RP 放置在地板上。
我们使用紧凑的 TMP+RP 排气系统以低廉的价格提供清洁、高真空的蒸发系统。它消除了复杂的排气操作，只需触摸面板开关的ON/OFF控制即可实现全自动。
使用钨篮可以沉积金、铝、铬、银等。碳蒸镀采用夹具蒸镀枪型，使用特殊碳（SLC-30 ）进行蒸镀。（不能使用φ5mm碳棒。）

购买时，您可以选择碳气相沉积电极或金属气相沉积电极。可以选择购买额外的电极。

碳蒸发电极

这是专用的碳蒸发电极。
它可以在高真空区域进行碳蒸发，从而可以形成具有优异膜质量和膜强度的碳膜。
附带的防尘盖将碳蒸气沉积的散射范围降至必要的低限度，从而减轻了清洁的负担。
使用特种碳（SLC-30）作为积碳源。
金属蒸镀电极

这是直径0.5mm钨篮专用的金属蒸镀电极。
可以轻松简便地进行金、铝、铬等的气相沉积。随附的防尘盖可最大限度地减少沉积区域并减轻清洁负担。

主要产品规格

物品	规格
电源	AC100V（单相100V15A）
设备尺寸	宽428mm，深430mm，高550mm （设备重量38kg）
旋转泵（外部）	抽速50ℓ/min (G-50DA) (重量11kg)
涡轮泵（内置装置）	排气速度67ℓ/秒
样品台	直径72毫米
气相沉积源-样品台距离	可调范围：0mm 至 140mm