高纯度氧化铝粉如何更好的运用在电子陶瓷行业
电子陶瓷的优良性能基于其粉体的高质量。因此,高质量陶瓷粉体的制备是获得性能优良电子陶瓷的关键。目前常用的电子封装陶瓷材料中,氧化铝具有较为优异的综合性能,是目前电子行业中应用广的陶瓷材料。
?从理论角度、实际应用的角度考虑,首先是从微观形貌上讲,关注电子陶瓷领域核心的应用,业内会关注两个方向:高纯氧化铝的烧结活性和高纯氧化铝的应用特性。
Taimicron是采用戴美化学多年培育的铝化合物合成技术生产的高纯度、超细精细陶瓷粉末。 Taimicron是基于2(OH)3AlCO4
铵钠铝石(NH
高强耐磨材料
人造骨、牙科材料、轴承等。
电子材料
IC基板、半导体制造夹具、传感器等
光学材料
透光陶瓷、红宝石、YAG等
其他
各种填料、合成尖晶石、催化剂载体等
烧结用太微粉是一种高纯度α-氧化铝粉末,由于其初级颗粒细小且单晶,可以在极低的温度下烧结致密化。
■特点
99.99%以上的高纯度超细粉末。
它在低温下烧结并致密化。
经过1250℃至1300℃烧成,致密化至理论密度的98%以上。
可以获得表现出氧化铝原有性能的优异烧结体。
陶瓷具有高强度、高硬度、优异的耐磨性和耐腐蚀性。
可以容易地获得半透明陶瓷
可以通过HIP烧结等获得半透明陶瓷。
■典型特性值
年级 | 超滤膜 | TM-DA | TM-DAR | TM-5D | |
晶型 | α-氧化铝 | α-氧化铝 | α-氧化铝 | α-氧化铝 | |
BET比表面积 | 平方米/克 | 17.0 | 12.5 | 13.5 | 9.0 |
一次粒径*1 | 微米 | 0.09 | 0.12 | 0.12 | 0.20 |
静态堆积密度 | 克/立方厘米 | 0.8 | 0.8 | 0.9 | 0.8 |
振实密度 | 克/立方厘米 | 1.0 | 0.9 | 1.0 | 1.1 |
成型密度*2 | 克/立方厘米 | 2.3 | 2.2 | 2.3 | 2.3 |
烧结密度 | 克/立方厘米 | 3.93 *3 | 3.95 *4 | 3.96 *4 | 3.93 *5 |
*1:根据SEM照片测量 *2:单轴压制成型(98MPa)
*3:1250℃ *4:1350℃ *5:1400℃(在空气中各烧成1小时)
主相为γ、θ的氧化铝。
■特点
具有极细颗粒和大比表面积的粉末。
它具有高活性和优异的反应活性。
■典型特性值
年级 | TM-100 | TM-300 | TM-100D | TM-300D | |
晶型 | θ-氧化铝 | γ-氧化铝 | θ-氧化铝 | γ-氧化铝 | |
BET比表面积 | 平方米/克 | 120 | 220 | 120 | 200 |
一次粒径*1 | 微米 | 0.014 | 0.007 | 0.014 | 0.010 |
静态堆积密度 | 克/立方厘米 | 0.15 | 0.05 | 0.40 | 0.40 |
振实密度 | 克/立方厘米 | 0.18 | 0.08 | 0.60 | 0.60 |
*1:根据 BET 值计算