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导电薄膜方块电阻无损检测设备EC-80P技术分析
针对纳米导电薄膜的方块电阻检测问题,提出了基于微带传输线的无损检测方法。通过引入空气缝隙,将待测导电薄膜及其衬底插入微带线横截面内,进而测量微波信号的插损来获得待测薄膜的导电特性。采用电磁仿真软件和实验测试对该方法进行了验证,结果表明:待测薄膜的方块电阻越大,对应的信号插损越小,从而初步证明了所提方法的可行性。
日本napson便携式电阻检测仪EC-80P
测量目标
半导体/太阳能电池材料相关（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相关（碳纳米管，DLC，石墨烯，银纳米线等）
导电薄膜相关（金属，ITO等）
硅基外延，离子与半导体相关的注入样品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*请与我们联系）
测量尺寸
无论样品大小和形状如何均可进行测量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
测量范围
[电阻] 1m至200Ω・ cm
（*所有探头类型的总量程/厚度500um）
[抗剪强度] 10m至3kΩ / sq
（*所有探头类型的总量程）
*有关每种探头类型的测量范围，请参阅以下内容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至0.05Ω-cm）
（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太阳能晶片：5至500Ω/□（0。 2至15Ω-cm）
