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更新日期：2021-10-18
简要描述：
日本nittan高导热AIN（氮化铝）NPL-3
它具有与硅相匹配的优异散热和膨胀率，由于其*的成分和制造方法而具有精细的晶体结构，并被具有优异强度和韧性的材料、半导体制造设备和其他周边零件快速加热。快速冷却和散热。
日本nittan高导热AIN（氮化铝）NPL-3
它具有与硅相匹配的优异散热和膨胀率，由于其*的成分和制造方法而具有精细的晶体结构
，并被具有优异强度和韧性的材料、半导体制造设备和其他周边零件快速加热。快速冷却和散热。-由于气孔极少，因此可实现优异的搭接表面和高表面精度。
氮化铝 NPL-3 的特点
1. 高导热系数 导热系数
2.170-180W /m·k 2. 高强度抗弯强度 400MPa
3. 高硬度 Hardness HV1000, HRA89
4. 低热膨胀 热膨胀系数 5.0 × 10-6/ ℃ (Silicon: 4.2 × 10 )-6/℃)
用途
键合工具
散热
片 散热片
半导体基板
虚拟晶圆等
实际尺寸：500L x 65 x 30，φ300 x 30
日本nittan高导热AIN（氮化铝）NPL-3
NPL-2, 3 的特点
2. 高强度、高硬度 400MPa,Hv1000
3. 热膨胀系数与 Si 5.0 × 10-6 1 / K 相似
4. 大产品可以制造φ400×30，□30×1000L等
