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nippon二氧化硅/氧化铝球形颗粒

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更新日期：2024-03-31

简要描述：

nippon二氧化硅/氧化铝球形颗粒
由高纯度粉碎粉末在大气中加热熔化（喷雾法）制成的亚微米至100微米颗粒制成球形。
纯度高、填充性和流动性优异的球形细颗粒主要用作半导体封装材料和散热材料的填料。

nippon二氧化硅/氧化铝球形颗粒

详细介绍

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nippon二氧化硅/氧化铝球形颗粒

由高纯度粉碎粉末在大气中加热熔化（喷雾法）制成的亚微米至100微米颗粒制成球形。
纯度高、填充性和流动性优异的球形细颗粒主要用作半导体封装材料和散热材料的填料。

二氧化硅球形颗粒

氧化铝球形细颗粒

使用案例

说明图

nippon二氧化硅/氧化铝球形颗粒

等级表

它用作保护半导体芯片的密封剂的填料。

1.通用型

产品名称	d50	比表面积	圆	二氧化硅	钠+	氯-	筛网
产品名称	微米	平方米/克	-	%	百万分之一	百万分之一	微米
HS-102	27.0	1.5	0.89	99.9	0.2	0.1	72
HS-103	28.0	1.7	0.90	99.9	0.2	0.1	72
HS-106	21.0	2.7	0.93	99.8	0.2	0.1	72
HS-109	26.0	2.4	0.94	99.9	0.2	0.1	75
HS-112	16.0	3.4	0.94	99.8	0.2	0.1	72
HS-208	20.0	2.4	0.96	99.8	0.2	0.1	53
HS-209	18.0	2.5	0.96	99.8	0.2	0.1	45
HS-206	12.0	3.2	0.97	99.9	0.3	0.1	32
HS-207	9.5	3.5	0.98	99.9	0.3	0.1	20
HS-304	28.0	0.7	0.94	99.8	0.2	0.1	75
HS-308	17.0	1.0	0.97	99.9	0.3	0.1	50
HS-312	9.5	2.3	0.95	99.9	0.2	0.2	50

2.细粉

产品名称	d50	比表面积	圆	二氧化硅	钠+	氯-	筛网
产品名称	微米	平方米/克	-	%	百万分之一	百万分之一	微米
HS-311	2.2	7.6	0.98	99.0	0.8	0.1	-

（注）以上数值为典型值。

*可根据您的要求适应各种粒度、筛目等。请联系我们。

主要用作散热片材和薄膜中的填料，用于保护电子设备免受热影响。它具有高温下的热稳定性和陶瓷颗粒之间的高导热性等特性，有望用作电动汽车等下一代汽车的部件。

1.AZ系列

产品名称	d50	比表面积	电导率	钠+	氯-	三氧化二铝	筛网
产品名称	微米	平方米/克	微秒/厘米	百万分之一	百万分之一	%	微米
AZ2L-75	3	1.3	7	四	8.0	99.9	75
AZ4-75	五	0.6	6	3	1.5	99.9	75
AZ10-75	11	0.3	四	3	1.0	99.9	75
AZ35-125	37	0.2	五	6	0.4	99.9	125
AZ75-150	75	0.2	十	十	0.5	99.9	150

（注）以上数值为典型值。

2.AY系列

产品名称	d50	比表面积	电导率	钠+	氯-	三氧化二铝	筛网
产品名称	微米	平方米/克	微秒/厘米	百万分之一	百万分之一	%	微米
AY2-75	3	1.3	35	80	13.5	99.9	75
AY4-75	五	0.6	20	30	1.5	99.9	75
AY10-75	11	0.3	30	50	0.8	99.9	75
AY35-125	37	0.2	20	30	0.5	99.9	125
AY75-150	75	0.2	50	80	0.5	99.9	150

（注）以上数值为典型值。

*可根据您的要求适应各种粒度、筛目等。请联系我们。

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